记者了解到，这两台设备均可灵敏装备多达五个双反响台的反响腔，在确保较低出产所带来的本钱的一起，完成较高的出产功率。在硬件上，开发的可完成钝化时刻从毫秒级到千秒级的操控办理体系，可满意多种杂乱结构的填充。
董事、集团副总裁、CVD产品部及公共工程部总经理陶珩表明：“这两款设备优异的台阶掩盖率和低电阻特性，使其可以彻底满意多种杂乱和三维结构的金属钨填充需求。跟着半导体技能的渐渐的提高，原子层堆积技能因其杰出的三维掩盖才能和准确的薄膜厚度操控而日益受到重视，估计未来将会有更广泛的使用需求。公司新推出的这两款新设备，进一步扩大了中微公司薄膜设备产品线，不只展现了咱们在原子层堆积范畴的先进的技能水平，也证明了咱们具有强壮的产品研讨开发和使用开发才能，标志着咱们在范畴中扩展了全新的工艺使用，这将为咱们公司的持续增长和长时间开展供给宽广的空间。”
